à 
1035
5155, avenue Decelles
Montréal (QC) Canada  H3T 2B1

Guillaume Gélinas, Département de physique, Université de Montréal, Montréal, QC, Canada

Les antimoniures sont de plus en plus présents dans la fabrication de dispositifs optoélectroniques dans l’infrarouge. Cependant, les énergies de bande interdite et les alignements de bandes ne sont pas bien maîtrisés. De plus, lorsque ces matériaux sont confinés sous forme de puits quantique, les porteurs de charges peuvent être séparés spatialement.

Une meilleure compréhension  des  positions énergétiques des bandes ainsi que des énergies de recombinaison est primordiale afin de permettre une conception fiable d’hétéro-structures quantique.

Cette présentation portera sur l’optimisation de la croissance de composés d’InGaAsSb sur substrat de GaSb, de la caractérisation par  électro-réflectance sans contact et par diffraction des rayons X. De plus, la modélisation des énergies de bande interdite, des positions énergétiques des bandes et de la contrainte liée à la différence de paramètre de maille sera faite pour le matériau volumique. Enfin, les niveaux confinés d’un puits quantique d’InGaAsSb/GaSb seront calculés. 

Voici le lien vers la page web du groupe de recherche du M Gélinas

Cette conférence est présentée par le RQMP Versant Nord du Département de physique de l'Université de Montréal et le Département de génie physique de Polytechnique Montréal.

Croissance, caractérisation et compréhension des semi-conducteurs III-V à base d’antimoine – Guillaume Gélinas, UdeM
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