Étude des défauts dans le silicium par la technique d’activation et de relaxation cinétique.
Mickael Trochet, département de physique, UdeM
candidat au PhD (groupe de Normand Mousseau)
résumé:
Les performances des cellules photovoltaïques, des transistors et des batteries sont fortement affectées par l’agrégation des défauts intrinsèques et des impuretés dans le silicium ou ces alliages. Nous étudions la stabilité thermodynamique, la stabilité cinétique et la diffusion de ces défauts avec la technique d’activation et de relaxation cinétique (kART ou ARTc) couplée aux potentiels de Stillinger-Weber et ReaxFF. ARTc est une méthode de Monte-Carlo cinétique pouvant traiter les systèmes hors-réseau en construisant à la volée un catalogue des transitions accessibles. Cet algorithme explore le paysage énergétique de manière approfondie et permet de caractériser la stabilité aussi bien thermodynamique que cinétique des systèmes ainsi que les mécanismes de diffusion des défauts ponctuels seuls ou en amas. Lors de cette présentation, nous décrirons la méthode ARTc ainsi que ses avantages et ses limites, puis nous passerons en revue les résultats, ciblant plus particulièrement les défauts intrinsèques et les impuretés de lithium dans le silicium. Nous montrerons que les environnements et la cinétique de diffusion des amas de défauts sont très riches et complexes, malgré la simplicité apparente des systèmes étudiés.
Cette conférence est présentée par le RQMP Versant Nord du Département de physique de l'Université de Montréal et de Génie physique de la Polytechnique.
